学院举办创新物理电子论坛第二期

为进一步加强学术交流平台建设，促进学术交流与合作，拓展师生学术视野，营造浓郁的学术氛围。我院于10月30日晚七点三十分，在图书馆大报告厅召开了创新物理电子论坛系列讲座的第二期。本次讲座由李培芳院长主持，闫赛超博士和卜祥天博士两位老师主讲，学院二百二十余名师生参加。

闫赛超博士围绕低维电子器件的量子输运性质展开介绍，针对集成电路中晶体管存在的短沟道效应问题，从新低维沟道材料和改善器件输运性质方法两方面进行研究；新低维沟道材料方面，提出了一维硒/硫化硅和单层氮化铋分别在环形栅晶体管和隧穿晶体管中具有应用潜力；改善器件输运性质方面，验证了源极引入硫间隙和锗空位缺陷可以改善单层硫化锗晶体管的亚阈值摆幅。

卜祥天博士围绕过渡金属氧化物的第一性原理研究，提出用光学方法鉴别CoO等莫特绝缘体的带隙本质的新思路，并利用杂化泛函赝势进行了第一性原理计算，揭示CoO是中间型绝缘体。预测了两个晶格重构的稳定TiO2单层结构，揭示了赝姜-泰勒效应在体系结构畸变中的作用，发现t1T具有面外铁电性。

创新物理电子论坛旨在展示学院中青年教师学术风采，促进学术资源共享，推动交叉融合。李院长提了三点希望，与参加论坛的师生共勉：一是“参会有收获”；二是“学习科研贵在坚持”；三是“主动交流”。最后，院长鼓励同学们多参与此类活动拓展兴趣，遇到感兴趣的话题积极与老师们沟通交流。

       在交流环节，闫赛超老师和卜祥天老师针对各自的研究领域跟老师们进行了积极的讨论和交流，本次第二期论坛在热烈愉快的氛围中圆满结束。

李院长主持会议

闫赛超博士分享自己的研究

老师针对自己感兴趣的问题与闫赛超博士进行交流

卜祥天博士分享自己的研究

论坛现场