近日,我院教师孙勇等指导的2021级物理学一班本科生唐新盛、于新蕾、张艺民等同学在SCI收录期刊 《Physica B》675(2024)415628上发表了 《Magnetic field modulation of polaron relaxation coherence effects in III-V semiconductor Gaussian quantum wells》一文。
这篇论文在Lee-Low-Pines酉变换和线性组合运算方法的框架下,研究了磁场调制下III-V族半导体高斯量子阱中极化子弛豫相干效应。通过数值模拟研究了高斯势量子阱中极化子的振动频率、基态能量、激发态能量和相干时间随着高斯势阱深、阱宽以及磁场回旋频率的变化规律。结果表明:通过改变高斯势和磁场可有效调节极化子的基态能量、第一激发态能量、振动频率以及相干时间。这一结果对于利用III-V族半导体中极化子能级跃迁设计光电器件和构建量子信息传输基本单元提供了理论借鉴。
本科生以第一作者发表SCI论文不仅代表学生在这一阶段超前的学术能力和英文写作能力,也充分展现学院培养学生从事科研与学术的潜力和动力。
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